Triode/MOS tube/transistor/module
OSRAM (OSRAM)
الشركات المصنعة
92411 PCS
في الأوراق المالية
ST (STMicroelectronics)
الشركات المصنعة
51274 PCS
في الأوراق المالية
onsemi (Ansemi)
الشركات المصنعة
The NFAL5065L4BT is an advanced Motion SPM module providing a fully functional, high performance inverter output stage for AC induction, BLDC and PMSM motors. These modules integrate optimized gate drive of the built-in IGBTs to minimize EMI and losses, while also providing multiple on-module protection features including undervoltage lockout, overcurrent shutdown, high temperature monitoring of the driver IC, and fault reporting . Requiring only one supply voltage, the built-in high-speed HVIC converts incoming logic-level gate inputs into the high-voltage, high-current drive signals required to properly drive the module's internal IGBTs. Each phase has separate negative IGBT terminals to support the widest range of control algorithms.
وصف
71714 PCS
في الأوراق المالية
Infineon (Infineon)
الشركات المصنعة
65908 PCS
في الأوراق المالية
Infineon (Infineon)
الشركات المصنعة
99139 PCS
في الأوراق المالية
Infineon (Infineon)
الشركات المصنعة
88558 PCS
في الأوراق المالية
Infineon (Infineon)
الشركات المصنعة
97793 PCS
في الأوراق المالية
onsemi (Ansemi)
الشركات المصنعة
82231 PCS
في الأوراق المالية
onsemi (Ansemi)
الشركات المصنعة
Automotive Power MOSFETs for compact and efficient designs mounted in 5x6mm flat lead encapsulation with high thermal performance. Wettable flank options available for enhanced optical detection. AEC-Q101 qualified MOSFETs with Production Part Approval Process (PPAP) capability for automotive applications.
وصف
75832 PCS
في الأوراق المالية
onsemi (Ansemi)
الشركات المصنعة
51021 PCS
في الأوراق المالية
onsemi (Ansemi)
الشركات المصنعة
99609 PCS
في الأوراق المالية
onsemi (Ansemi)
الشركات المصنعة
89922 PCS
في الأوراق المالية
onsemi (Ansemi)
الشركات المصنعة
56599 PCS
في الأوراق المالية
onsemi (Ansemi)
الشركات المصنعة
These N-Channel Power MOSFETs are manufactured using the innovative UItraFET process. This advanced process technology achieves the lowest on-state resistance per silicon area, resulting in outstanding performance. The device is capable of withstanding high energy in avalanche mode and the diode has extremely low reverse recovery time and stored charge. The device is designed for applications where energy efficiency is important, such as switching regulators, switching converters, motor drivers, relay drivers, low-voltage bus switches, and power management in portable and battery-operated products.
وصف
56206 PCS
في الأوراق المالية
RENESAS (Renesas)/IDT
الشركات المصنعة
50038 PCS
في الأوراق المالية
RENESAS (Renesas)/IDT
الشركات المصنعة
82378 PCS
في الأوراق المالية
RENESAS (Renesas)/IDT
الشركات المصنعة
57055 PCS
في الأوراق المالية
RENESAS (Renesas)/IDT
الشركات المصنعة
50153 PCS
في الأوراق المالية
RENESAS (Renesas)/IDT
الشركات المصنعة
93451 PCS
في الأوراق المالية
ROHM (Rohm)
الشركات المصنعة
58375 PCS
في الأوراق المالية