onsemi (Ansemi)
قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
1N5821G 30V 3A 900mV@9.4A Schottky Barrier Rectifier, 3.0 A, 30 V

1N5821G

30V 3A [email protected] Schottky Barrier Rectifier, 3.0 A, 30 V
رقم القطعة
1N5821G
فئة
Diodes > General Purpose Diodes
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
onsemi (Ansemi)
التغليف
DO-27
التعبئة
boxed
عدد الطرود
500
وصف
The Schottky rectifier uses the Schottky barrier principle and uses a large area metal-silicon power diode. The advanced geometry of this Schottky rectifier features chromium barrier metal, epitaxial structure with oxide passivation, and metal-covered contacts. The rectifier is suitable for low-voltage high-frequency inverters, freewheeling diodes and polarity protection diodes.
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 87274 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية ل1N5821G
1N5821G مكونات الكترونية
1N5821G مبيعات
1N5821G المورد
1N5821G موزع
1N5821G جدول البيانات
1N5821G الصور
1N5821G سعر
1N5821G يعرض
1N5821G أقل سعر
1N5821G يبحث
1N5821G شراء
1N5821G رقاقة