The Schottky rectifier uses the Schottky barrier principle and uses a large area metal-silicon power diode. The advanced geometry of this Schottky rectifier features chromium barrier metal, epitaxial structure with oxide passivation, and metal-covered contacts. The rectifier is suitable for low-voltage high-frequency inverters, freewheeling diodes and polarity protection diodes.
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.