شراء onsemi (Ansemi) 1N5821G 30V 3A 900mV@9.4A Schottky Barrier Rectifier, 3.0 A, 30 V

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

onsemi (Ansemi)

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

1N5821G

30V 3A [email protected] Schottky Barrier Rectifier, 3.0 A, 30 V

رقم القطعة

1N5821G

فئة

Diodes > General Purpose Diodes

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

onsemi (Ansemi)

التغليف

DO-27

التعبئة

boxed

عدد الطرود

500

وصف

The Schottky rectifier uses the Schottky barrier principle and uses a large area metal-silicon power diode. The advanced geometry of this Schottky rectifier features chromium barrier metal, epitaxial structure with oxide passivation, and metal-covered contacts. The rectifier is suitable for low-voltage high-frequency inverters, freewheeling diodes and polarity protection diodes.

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 87274 PCS

معلومات الاتصال