The H11AG1M series consists of an AlGaAs infrared emitting diode coupled with a silicon phototransistor using dual-row plug-inencapsulation. This device has the unique feature of high current transfer ratio at low output voltage and low input current. This feature makes it ideal for low power logic circuits, telecom equipment and portable electronic isolation applications
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.