The Schottky diode uses the Schottky diode barrier principle and uses a metal-silicon Power rectifier. It employs an epitaxial structure with oxide passivation and metal-covered contacts. The Schottky diode is suitable for low-voltage high-frequency switching power supply, freewheeling diode and polarity protection diode.
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.