قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
AO4771L
MOSFET P-CH W/DIODE 8SOIC
رقم القطعة
AO4771L
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
-
حالة الجزء
Obsolete
التعبئة والتغليف
Tape & Reel (TR)
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SOIC
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2W (Ta)
نوع فيت
P-Channel
ميزة FET
Schottky Diode (Body)
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
68 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
2.3V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
7nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
350pF @ 15V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±20V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 19799 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لAO4771L
AO4771L مكونات الكترونية
AO4771L مبيعات
AO4771L المورد
AO4771L موزع
AO4771L جدول البيانات
AO4771L الصور
AO4771L سعر
AO4771L يعرض
AO4771L أقل سعر
AO4771L يبحث
AO4771L شراء
AO4771L رقاقة