شراء Diodes Incorporated DMN1016UCB6-7 MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

جداول البيانات

DMN1016UCB6-7

MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6

رقم القطعة

DMN1016UCB6-7

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Diodes Incorporated

مسلسل

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Cut Tape (CT)

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

6-UFBGA, WLBGA

حزمة جهاز المورد

U-WLB1510-6

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

920mW (Ta)

نوع فيت

N-Channel

ميزة FET

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

12V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

5.5A (Ta)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

20 mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

1V @ 250µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

4.2nC @ 4.5V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

423pF @ 6V

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

2.5V, 4.5V

في جي إس (الحد الأقصى)

±8V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 11086 PCS

معلومات الاتصال

منتجات ذات صله

DMN100-7-F

MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3