شراء Diodes Incorporated DMN1033UCB4-7 MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

DMN1033UCB4-7

MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4

رقم القطعة

DMN1033UCB4-7

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Diodes Incorporated

مسلسل

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Tape & Reel (TR)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

4-UFBGA, WLBGA

أقصى القوة

1.45W

حزمة جهاز المورد

U-WLB1818-4

نوع فيت

2 N-Channel (Dual) Common Drain

ميزة FET

Logic Level Gate

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

Rds On (Max) @ Id، Vgs

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

37nC @ 4.5V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 18703 PCS

معلومات الاتصال

منتجات ذات صله

DMN100-7-F

MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3