شراء Diodes Incorporated DMN10H120SFG-7 MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

جداول البيانات

DMN10H120SFG-7

MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI

رقم القطعة

DMN10H120SFG-7

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Diodes Incorporated

مسلسل

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Digi-Reel®

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

8-PowerVDFN

حزمة جهاز المورد

PowerDI3333-8

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

1W (Ta)

نوع فيت

N-Channel

ميزة FET

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

100V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

3.8A (Ta)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

110 mOhm @ 3.3A, 10V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

3V @ 250µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

10.6nC @ 10V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

549pF @ 50V

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

6V, 10V

في جي إس (الحد الأقصى)

±20V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 25793 PCS

معلومات الاتصال

منتجات ذات صله

DMN100-7-F

MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3