شراء Diodes Incorporated DMN2014LHAB-7 MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

جداول البيانات

DMN2014LHAB-7

MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN

رقم القطعة

DMN2014LHAB-7

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Diodes Incorporated

مسلسل

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Cut Tape (CT)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

6-UFDFN Exposed Pad

أقصى القوة

800mW

حزمة جهاز المورد

U-DFN2030-6 (Type B)

نوع فيت

2 N-Channel (Dual)

ميزة FET

Logic Level Gate

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

20V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

Rds On (Max) @ Id، Vgs

13 mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

1.1V @ 250µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

16nC @ 4.5V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

1550pF @ 10V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 51040 PCS

معلومات الاتصال

منتجات ذات صله

DMN2004DMK-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26