DMN2016LHAB-7
MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN
رقم القطعة
DMN2016LHAB-7
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
-
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Cut Tape (CT)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
6-UDFN Exposed Pad
أقصى القوة
1.2W
حزمة جهاز المورد
U-DFN2030-6
نوع فيت
2 N-Channel (Dual) Common Drain
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
7.5A
Rds On (Max) @ Id، Vgs
15.5 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
1.1V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
16nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1550pF @ 10V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 20845 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لDMN2016LHAB-7
DMN2016LHAB-7 مكونات الكترونية
DMN2016LHAB-7 مبيعات
DMN2016LHAB-7 المورد
DMN2016LHAB-7 موزع
DMN2016LHAB-7 جدول البيانات
DMN2016LHAB-7 الصور
DMN2016LHAB-7 سعر
DMN2016LHAB-7 يعرض
DMN2016LHAB-7 أقل سعر
DMN2016LHAB-7 يبحث
DMN2016LHAB-7 شراء
DMN2016LHAB-7 رقاقة