DMN2022UFDF-7
MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN
رقم القطعة
DMN2022UFDF-7
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
-
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Cut Tape (CT)
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
6-UDFN Exposed Pad
حزمة جهاز المورد
6-UDFN2020 (2x2)
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
660mW (Ta)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
7.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
22 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
1V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
18nC @ 8V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
907pF @ 10V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
1.5V, 4.5V
في جي إس (الحد الأقصى)
±8V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 21418 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لDMN2022UFDF-7
DMN2022UFDF-7 مكونات الكترونية
DMN2022UFDF-7 مبيعات
DMN2022UFDF-7 المورد
DMN2022UFDF-7 موزع
DMN2022UFDF-7 جدول البيانات
DMN2022UFDF-7 الصور
DMN2022UFDF-7 سعر
DMN2022UFDF-7 يعرض
DMN2022UFDF-7 أقل سعر
DMN2022UFDF-7 يبحث
DMN2022UFDF-7 شراء
DMN2022UFDF-7 رقاقة