DMP58D0LFB-7
MOSFET P-CH 50V 0.18A DFN1006-3
رقم القطعة
DMP58D0LFB-7
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
-
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Cut Tape (CT)
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
3-UFDFN
حزمة جهاز المورد
3-DFN1006 (1.0x0.6)
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
470mW (Ta)
نوع فيت
P-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
50V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
8 Ohm @ 100mA, 5V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
2.1V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
-
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
27pF @ 25V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
2.5V, 5V
في جي إس (الحد الأقصى)
±20V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 46533 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لDMP58D0LFB-7
DMP58D0LFB-7 مكونات الكترونية
DMP58D0LFB-7 مبيعات
DMP58D0LFB-7 المورد
DMP58D0LFB-7 موزع
DMP58D0LFB-7 جدول البيانات
DMP58D0LFB-7 الصور
DMP58D0LFB-7 سعر
DMP58D0LFB-7 يعرض
DMP58D0LFB-7 أقل سعر
DMP58D0LFB-7 يبحث
DMP58D0LFB-7 شراء
DMP58D0LFB-7 رقاقة