قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
EPC2039
TRANS GAN 80V BUMPED DIE
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
التعبئة والتغليف
Tape & Reel (TR)
تكنولوجيا
GaNFET (Gallium Nitride)
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
80V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
25 mOhm @ 6A, 5V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
2.5V @ 2mA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
2.4nC @ 5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
210pF @ 40V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
5V
في جي إس (الحد الأقصى)
+6V, -4V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى chen_hx1688@hotmail.com، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 53850 PCS