EPC2051ENGRT
TRANS GAN 100V DIE CU PILLAR
رقم القطعة
EPC2051ENGRT
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
eGaN®
حالة الجزء
Active
تكنولوجيا
GaNFET (Gallium Nitride)
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
Die
حزمة جهاز المورد
Die
نوع فيت
N-Channel
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
100V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
1.7A
Rds On (Max) @ Id، Vgs
25 mOhm @ 3A, 5V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
2.5V @ 1.5mA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
2.3nC @ 5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
280pF @ 50V
في جي إس (الحد الأقصى)
+6V, -4V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
5V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 23188 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لEPC2051ENGRT
EPC2051ENGRT مكونات الكترونية
EPC2051ENGRT مبيعات
EPC2051ENGRT المورد
EPC2051ENGRT موزع
EPC2051ENGRT جدول البيانات
EPC2051ENGRT الصور
EPC2051ENGRT سعر
EPC2051ENGRT يعرض
EPC2051ENGRT أقل سعر
EPC2051ENGRT يبحث
EPC2051ENGRT شراء
EPC2051ENGRT رقاقة