EPC2102
TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG
رقم القطعة
EPC2102
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
eGaN®
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Cut Tape (CT)
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
Die
أقصى القوة
-
حزمة جهاز المورد
Die
نوع فيت
2 N-Channel (Half Bridge)
ميزة FET
GaNFET (Gallium Nitride)
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
60V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
23A
Rds On (Max) @ Id، Vgs
4.4 mOhm @ 20A, 5V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
2.5V @ 7mA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
6.8nC @ 5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
830pF @ 30V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 7591 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لEPC2102
EPC2102 مكونات الكترونية
EPC2102 مبيعات
EPC2102 المورد
EPC2102 موزع
EPC2102 جدول البيانات
EPC2102 الصور
EPC2102 سعر
EPC2102 يعرض
EPC2102 أقل سعر
EPC2102 يبحث
EPC2102 شراء
EPC2102 رقاقة