قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
EPC2102ENG
TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE
رقم القطعة
EPC2102ENG
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
eGaN®
حالة الجزء
Discontinued at Digi-Key
التعبئة والتغليف
Tray
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
Die
أقصى القوة
-
حزمة جهاز المورد
Die
نوع فيت
2 N-Channel (Half Bridge)
ميزة FET
GaNFET (Gallium Nitride)
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
60V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
23A
Rds On (Max) @ Id، Vgs
4.4 mOhm @ 20A, 5V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
2.5V @ 7mA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
6.8nC @ 5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
830pF @ 30V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 26363 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لEPC2102ENG
EPC2102ENG مكونات الكترونية
EPC2102ENG مبيعات
EPC2102ENG المورد
EPC2102ENG موزع
EPC2102ENG جدول البيانات
EPC2102ENG الصور
EPC2102ENG سعر
EPC2102ENG يعرض
EPC2102ENG أقل سعر
EPC2102ENG يبحث
EPC2102ENG شراء
EPC2102ENG رقاقة