EPC2102ENGRT
MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE
رقم القطعة
EPC2102ENGRT
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
eGaN®
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Digi-Reel®
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
Die
أقصى القوة
-
حزمة جهاز المورد
Die
نوع فيت
2 N-Channel (Half Bridge)
ميزة FET
GaNFET (Gallium Nitride)
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
60V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
23A (Tj)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
4.4 mOhm @ 20A, 5V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
2.5V @ 7mA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
6.8nC @ 5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
830pF @ 30V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 37627 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لEPC2102ENGRT
EPC2102ENGRT مكونات الكترونية
EPC2102ENGRT مبيعات
EPC2102ENGRT المورد
EPC2102ENGRT موزع
EPC2102ENGRT جدول البيانات
EPC2102ENGRT الصور
EPC2102ENGRT سعر
EPC2102ENGRT يعرض
EPC2102ENGRT أقل سعر
EPC2102ENGRT يبحث
EPC2102ENGRT شراء
EPC2102ENGRT رقاقة