EPC2103ENGRT
TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V
رقم القطعة
EPC2103ENGRT
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
eGaN®
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Cut Tape (CT)
درجة حرارة التشغيل
-
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
Die
أقصى القوة
-
حزمة جهاز المورد
Die
نوع فيت
2 N-Channel (Half Bridge)
ميزة FET
GaNFET (Gallium Nitride)
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
80V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
23A
Rds On (Max) @ Id، Vgs
5.5 mOhm @ 20A, 5V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
2.5V @ 7mA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
6.5nC @ 5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
7600pF @ 40V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 39165 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لEPC2103ENGRT
EPC2103ENGRT مكونات الكترونية
EPC2103ENGRT مبيعات
EPC2103ENGRT المورد
EPC2103ENGRT موزع
EPC2103ENGRT جدول البيانات
EPC2103ENGRT الصور
EPC2103ENGRT سعر
EPC2103ENGRT يعرض
EPC2103ENGRT أقل سعر
EPC2103ENGRT يبحث
EPC2103ENGRT شراء
EPC2103ENGRT رقاقة