قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
EPC2105ENG
TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE
رقم القطعة
EPC2105ENG
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
eGaN®
حالة الجزء
Discontinued at Digi-Key
التعبئة والتغليف
Bulk
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
Die
أقصى القوة
-
حزمة جهاز المورد
Die
نوع فيت
2 N-Channel (Half Bridge)
ميزة FET
GaNFET (Gallium Nitride)
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
80V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
9.5A, 38A
Rds On (Max) @ Id، Vgs
14.5 mOhm @ 20A, 5V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
2.5V @ 2.5mA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
2.5nC @ 5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
300pF @ 40V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 17604 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لEPC2105ENG
EPC2105ENG مكونات الكترونية
EPC2105ENG مبيعات
EPC2105ENG المورد
EPC2105ENG موزع
EPC2105ENG جدول البيانات
EPC2105ENG الصور
EPC2105ENG سعر
EPC2105ENG يعرض
EPC2105ENG أقل سعر
EPC2105ENG يبحث
EPC2105ENG شراء
EPC2105ENG رقاقة