قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
EPC2108
MOSFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
رقم القطعة
EPC2108
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
eGaN®
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Cut Tape (CT)
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
9-VFBGA
أقصى القوة
-
حزمة جهاز المورد
9-BGA (1.35x1.35)
نوع فيت
3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
ميزة FET
GaNFET (Gallium Nitride)
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
60V, 100V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
1.7A, 500mA
Rds On (Max) @ Id، Vgs
190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
22pF @ 30V, 7pF @ 30V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 7397 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لEPC2108
EPC2108 مكونات الكترونية
EPC2108 مبيعات
EPC2108 المورد
EPC2108 موزع
EPC2108 جدول البيانات
EPC2108 الصور
EPC2108 سعر
EPC2108 يعرض
EPC2108 أقل سعر
EPC2108 يبحث
EPC2108 شراء
EPC2108 رقاقة