EPC2110
MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE
رقم القطعة
EPC2110
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
eGaN®
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Cut Tape (CT)
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
-
الحزمة / القضية
Die
أقصى القوة
-
حزمة جهاز المورد
Die
نوع فيت
2 N-Channel (Dual) Common Drain
ميزة FET
GaNFET (Gallium Nitride)
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
120V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
3.4A
Rds On (Max) @ Id، Vgs
60 mOhm @ 4A, 5V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
2.5V @ 700µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
0.8nC @ 5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
80pF @ 60V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 42123 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لEPC2110
EPC2110 مكونات الكترونية
EPC2110 مبيعات
EPC2110 المورد
EPC2110 موزع
EPC2110 جدول البيانات
EPC2110 الصور
EPC2110 سعر
EPC2110 يعرض
EPC2110 أقل سعر
EPC2110 يبحث
EPC2110 شراء
EPC2110 رقاقة