شراء GeneSiC Semiconductor 1N1206A DIODE GEN PURP 600V 12A DO4

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

1N1206A

DIODE GEN PURP 600V 12A DO4

رقم القطعة

1N1206A

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

GeneSiC Semiconductor

مسلسل

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Bulk

نوع التركيب

Chassis, Stud Mount

الحزمة / القضية

DO-203AA, DO-4, Stud

حزمة جهاز المورد

DO-4

نوع الصمام الثنائي

Standard

الحالي - المتوسط المصحح (Io)

12A

الجهد - للأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا

1.1V @ 12A

التيار - التسرب العكسي عند Vr

10µA @ 50V

الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى)

600V

سرعة

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

عكس وقت الاسترداد (trr)

درجة حرارة التشغيل - الوصلة

-65°C ~ 200°C

السعة @ Vr، F

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 46971 PCS

معلومات الاتصال