شراء GeneSiC Semiconductor MURTA600120 DIODE GEN 1.2KV 300A 3 TOWER

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

MURTA600120

DIODE GEN 1.2KV 300A 3 TOWER

رقم القطعة

MURTA600120

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

GeneSiC Semiconductor

مسلسل

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Bulk

نوع التركيب

Chassis Mount

الحزمة / القضية

Three Tower

حزمة جهاز المورد

Three Tower

نوع الصمام الثنائي

Standard

الجهد - للأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا

2.6V @ 300A

التيار - التسرب العكسي عند Vr

25µA @ 1200V

تكوين الصمام الثنائي

1 Pair Common Cathode

الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى)

1200V

التيار - متوسط المعدل (Io) (لكل صمام ثنائي)

300A

سرعة

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

عكس وقت الاسترداد (trr)

درجة حرارة التشغيل - الوصلة

-55°C ~ 150°C

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 26647 PCS

معلومات الاتصال