قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
GP2M008A060PG

GP2M008A060PG

MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK
رقم القطعة
GP2M008A060PG
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
-
حالة الجزء
Obsolete
التعبئة والتغليف
Tape & Reel (TR)
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
الحزمة / القضية
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
حزمة جهاز المورد
I-PAK
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
120W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
600V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
1.2 Ohm @ 3.75A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
5V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
23nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1063pF @ 25V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±30V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 17229 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لGP2M008A060PG
GP2M008A060PG مكونات الكترونية
GP2M008A060PG مبيعات
GP2M008A060PG المورد
GP2M008A060PG موزع
GP2M008A060PG جدول البيانات
GP2M008A060PG الصور
GP2M008A060PG سعر
GP2M008A060PG يعرض
GP2M008A060PG أقل سعر
GP2M008A060PG يبحث
GP2M008A060PG شراء
GP2M008A060PG رقاقة