شراء Global Power Technologies Group GSID600A120S4B1 SILICON IGBT MODULES

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

GSID600A120S4B1

SILICON IGBT MODULES

رقم القطعة

GSID600A120S4B1

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Global Power Technologies Group

مسلسل

Amp+™

حالة الجزء

Active

درجة حرارة التشغيل

-40°C ~ 150°C

نوع التركيب

Chassis Mount

الحزمة / القضية

Module

أقصى القوة

3060W

إعدادات

Half Bridge

حزمة جهاز المورد

Module

الحالي - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)

1130A

الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)

1200V

التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)

1mA

نوع اي جي بي تي

Vce(on) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 600A

سعة الإدخال (Cies) @ Vce

51nF @ 25V

مدخل

Standard

إن تي سي الثرمستور

Yes

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 52309 PCS

معلومات الاتصال