AUIRF7309QTR
MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC
رقم القطعة
AUIRF7309QTR
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
HEXFET®
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Cut Tape (CT)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
أقصى القوة
1.4W
حزمة جهاز المورد
8-SO
نوع فيت
N and P-Channel
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
4A, 3A
Rds On (Max) @ Id، Vgs
50 mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
3V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
25nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
520pF @ 15V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى chen_hx1688@hotmail.com، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 19852 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لAUIRF7309QTR
AUIRF7309QTR مكونات الكترونية
AUIRF7309QTR مبيعات
AUIRF7309QTR المورد
AUIRF7309QTR موزع
AUIRF7309QTR جدول البيانات
AUIRF7309QTR الصور
AUIRF7309QTR سعر
AUIRF7309QTR يعرض
AUIRF7309QTR أقل سعر
AUIRF7309QTR يبحث
AUIRF7309QTR شراء
AUIRF7309QTR رقاقة