شراء Infineon Technologies BSM50GD120DN2BOSA1 IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

BSM50GD120DN2BOSA1

IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2

رقم القطعة

BSM50GD120DN2BOSA1

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Infineon Technologies

مسلسل

حالة الجزء

Not For New Designs

درجة حرارة التشغيل

150°C (TJ)

نوع التركيب

Chassis Mount

الحزمة / القضية

Module

أقصى القوة

350W

إعدادات

Full Bridge

حزمة جهاز المورد

Module

الحالي - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)

72A

الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)

1200V

التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)

1mA

نوع اي جي بي تي

Vce(on) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 50A

سعة الإدخال (Cies) @ Vce

3.3nF @ 25V

مدخل

Standard

إن تي سي الثرمستور

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 40717 PCS

معلومات الاتصال