BSP299L6327HUSA1
MOSFET N-CH 500V 400MA SOT-223
رقم القطعة
BSP299L6327HUSA1
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
SIPMOS®
حالة الجزء
Obsolete
التعبئة والتغليف
Digi-Reel®
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
TO-261-4, TO-261AA
حزمة جهاز المورد
PG-SOT223-4
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.8W (Ta)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
500V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
4 Ohm @ 400mA, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
4V @ 1mA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
-
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
400pF @ 25V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±20V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 14432 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لBSP299L6327HUSA1
BSP299L6327HUSA1 مكونات الكترونية
BSP299L6327HUSA1 مبيعات
BSP299L6327HUSA1 المورد
BSP299L6327HUSA1 موزع
BSP299L6327HUSA1 جدول البيانات
BSP299L6327HUSA1 الصور
BSP299L6327HUSA1 سعر
BSP299L6327HUSA1 يعرض
BSP299L6327HUSA1 أقل سعر
BSP299L6327HUSA1 يبحث
BSP299L6327HUSA1 شراء
BSP299L6327HUSA1 رقاقة