شراء Infineon Technologies DF150R12RT4HOSA1 IGBT MODULE VCES 1200V 150A

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

DF150R12RT4HOSA1

IGBT MODULE VCES 1200V 150A

رقم القطعة

DF150R12RT4HOSA1

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Infineon Technologies

مسلسل

حالة الجزء

Active

درجة حرارة التشغيل

-40°C ~ 150°C

نوع التركيب

Chassis Mount

الحزمة / القضية

Module

أقصى القوة

790W

إعدادات

Single Chopper

حزمة جهاز المورد

Module

الحالي - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)

150A

الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)

1200V

التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)

1mA

نوع اي جي بي تي

Trench Field Stop

Vce(on) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 150A

سعة الإدخال (Cies) @ Vce

9.3nF @ 25V

مدخل

Standard

إن تي سي الثرمستور

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 9500 PCS

معلومات الاتصال

منتجات ذات صله

DF15(0.8)-20DS-0.65V(50)

CONN RECEPT 20POS .8MM DUAL SMD