شراء Infineon Technologies IPB160N04S2L03ATMA2 MOSFET N-CH TO262-7

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

IPB160N04S2L03ATMA2

MOSFET N-CH TO262-7

رقم القطعة

IPB160N04S2L03ATMA2

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Infineon Technologies

مسلسل

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

حالة الجزء

Discontinued at Digi-Key

التعبئة والتغليف

Tape & Reel (TR)

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 175°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

حزمة جهاز المورد

PG-TO263-7-3

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

300W (Tc)

نوع فيت

N-Channel

ميزة FET

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

40V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

160A (Tc)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

2.7 mOhm @ 80A, 10V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

2V @ 250µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

230nC @ 5V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

6000pF @ 15V

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

4.5V, 10V

في جي إس (الحد الأقصى)

±20V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 25532 PCS

معلومات الاتصال