شراء Infineon Technologies IPD50R650CEBTMA1 MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

جداول البيانات

IPD50R650CEBTMA1

MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252

رقم القطعة

IPD50R650CEBTMA1

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Infineon Technologies

مسلسل

CoolMOS™

حالة الجزء

Discontinued at Digi-Key

التعبئة والتغليف

Cut Tape (CT)

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

حزمة جهاز المورد

PG-TO252-3

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

47W (Tc)

نوع فيت

N-Channel

ميزة FET

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

500V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

6.1A (Tc)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

650 mOhm @ 1.8A, 13V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

3.5V @ 150µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

15nC @ 10V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

342pF @ 100V

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

13V

في جي إس (الحد الأقصى)

±20V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 51157 PCS

معلومات الاتصال