شراء Infineon Technologies IPD60R380E6ATMA2 MOSFET NCH 600V 10.6A TO252

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

IPD60R380E6ATMA2

MOSFET NCH 600V 10.6A TO252

رقم القطعة

IPD60R380E6ATMA2

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Infineon Technologies

مسلسل

CoolMOS™

حالة الجزء

Last Time Buy

التعبئة والتغليف

Bulk

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

حزمة جهاز المورد

PG-TO252-3

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

83W (Tc)

نوع فيت

N-Channel

ميزة FET

Super Junction

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

600V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

10.6A (Tc)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

380 mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

3.5V @ 300µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

32nC @ 10V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

700pF @ 100V

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

10V

في جي إس (الحد الأقصى)

±20V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 41552 PCS

معلومات الاتصال