شراء Infineon Technologies IPD80R1K0CEBTMA1 MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

جداول البيانات

IPD80R1K0CEBTMA1

MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3

رقم القطعة

IPD80R1K0CEBTMA1

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Infineon Technologies

مسلسل

CoolMOS™

حالة الجزء

Discontinued at Digi-Key

التعبئة والتغليف

Cut Tape (CT)

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

حزمة جهاز المورد

TO-252-3

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

83W (Tc)

نوع فيت

N-Channel

ميزة FET

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

800V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

5.7A (Tc)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

950 mOhm @ 3.6A, 10V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

3.9V @ 250µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

31nC @ 10V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

785pF @ 100V

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

10V

في جي إس (الحد الأقصى)

±20V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 22296 PCS

معلومات الاتصال