شراء Infineon Technologies IPG20N06S4L26ATMA1 MOSFET 2N-CH 60V 20A TDSON-8

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

IPG20N06S4L26ATMA1

MOSFET 2N-CH 60V 20A TDSON-8

رقم القطعة

IPG20N06S4L26ATMA1

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Infineon Technologies

مسلسل

OptiMOS™

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Tape & Reel (TR)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 175°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

8-PowerVDFN

أقصى القوة

33W

حزمة جهاز المورد

PG-TDSON-8-4

نوع فيت

2 N-Channel (Dual)

ميزة FET

Logic Level Gate

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

60V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

20A

Rds On (Max) @ Id، Vgs

26 mOhm @ 17A, 10V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

2.2V @ 10µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

20nC @ 10V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

1430pF @ 25V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 8634 PCS

معلومات الاتصال