شراء Infineon Technologies IPI120N06S4H1AKSA2 MOSFET N-CH TO262-3

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

IPI120N06S4H1AKSA2

MOSFET N-CH TO262-3

رقم القطعة

IPI120N06S4H1AKSA2

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Infineon Technologies

مسلسل

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

حالة الجزء

Obsolete

التعبئة والتغليف

Tube

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 175°C (TJ)

نوع التركيب

Through Hole

الحزمة / القضية

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

حزمة جهاز المورد

PG-TO262-3-1

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

250W (Tc)

نوع فيت

N-Channel

ميزة FET

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

60V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

120A (Tc)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

2.4 mOhm @ 100A, 10V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

4V @ 200µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

270nC @ 10V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

21900pF @ 25V

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

10V

في جي إس (الحد الأقصى)

±20V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 6030 PCS

معلومات الاتصال