شراء Infineon Technologies IR25600PBF IC DUAL MOSFET IGBT 8-DIP

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

IR25600PBF

IC DUAL MOSFET IGBT 8-DIP

رقم القطعة

IR25600PBF

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Infineon Technologies

مسلسل

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Tube

نوع الإدخال

Non-Inverting

درجة حرارة التشغيل

-40°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Through Hole

الحزمة / القضية

8-DIP (0.300", 7.62mm)

حزمة جهاز المورد

8-PDIP

الجهد - العرض

6 V ~ 20 V

نوع القناة

Independent

التكوين مدفوعة

Low-Side

عدد السائقين

نوع البوابة

IGBT, N-Channel MOSFET

الجهد المنطقي - VIL، VIH

0.8V, 2.7V

التيار - ذروة الخرج (المصدر، المغسلة)

2.3A, 3.3A

الجهد الجانبي العالي - الحد الأقصى (Bootstrap)

وقت الصعود/السقوط (الطباع)

15ns, 10ns

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 52833 PCS

معلومات الاتصال