IRF7301TRPBF
MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC
رقم القطعة
IRF7301TRPBF
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
HEXFET®
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Cut Tape (CT)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
أقصى القوة
2W
حزمة جهاز المورد
8-SO
نوع فيت
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
5.2A
Rds On (Max) @ Id، Vgs
50 mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
700mV @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
20nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
660pF @ 15V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 39165 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لIRF7301TRPBF
IRF7301TRPBF مكونات الكترونية
IRF7301TRPBF مبيعات
IRF7301TRPBF المورد
IRF7301TRPBF موزع
IRF7301TRPBF جدول البيانات
IRF7301TRPBF الصور
IRF7301TRPBF سعر
IRF7301TRPBF يعرض
IRF7301TRPBF أقل سعر
IRF7301TRPBF يبحث
IRF7301TRPBF شراء
IRF7301TRPBF رقاقة