IRF7341TRPBF
MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
رقم القطعة
IRF7341TRPBF
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
HEXFET®
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Digi-Reel®
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
أقصى القوة
2W
حزمة جهاز المورد
8-SO
نوع فيت
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
55V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
4.7A
Rds On (Max) @ Id، Vgs
50 mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
1V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
36nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
740pF @ 25V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 26697 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لIRF7341TRPBF
IRF7341TRPBF مكونات الكترونية
IRF7341TRPBF مبيعات
IRF7341TRPBF المورد
IRF7341TRPBF موزع
IRF7341TRPBF جدول البيانات
IRF7341TRPBF الصور
IRF7341TRPBF سعر
IRF7341TRPBF يعرض
IRF7341TRPBF أقل سعر
IRF7341TRPBF يبحث
IRF7341TRPBF شراء
IRF7341TRPBF رقاقة