IRF7907TRPBF
MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8-SOIC
رقم القطعة
IRF7907TRPBF
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
HEXFET®
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Digi-Reel®
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
أقصى القوة
2W
حزمة جهاز المورد
8-SO
نوع فيت
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
9.1A, 11A
Rds On (Max) @ Id، Vgs
16.4 mOhm @ 9.1A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
2.35V @ 25µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
10nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
850pF @ 15V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 24225 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لIRF7907TRPBF
IRF7907TRPBF مكونات الكترونية
IRF7907TRPBF مبيعات
IRF7907TRPBF المورد
IRF7907TRPBF موزع
IRF7907TRPBF جدول البيانات
IRF7907TRPBF الصور
IRF7907TRPBF سعر
IRF7907TRPBF يعرض
IRF7907TRPBF أقل سعر
IRF7907TRPBF يبحث
IRF7907TRPBF شراء
IRF7907TRPBF رقاقة