IRF8313TRPBF
MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC
رقم القطعة
IRF8313TRPBF
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
HEXFET®
حالة الجزء
Not For New Designs
التعبئة والتغليف
Digi-Reel®
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
أقصى القوة
2W
حزمة جهاز المورد
8-SO
نوع فيت
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
9.7A
Rds On (Max) @ Id، Vgs
15.5 mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
2.35V @ 25µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
9nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
760pF @ 15V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 42670 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لIRF8313TRPBF
IRF8313TRPBF مكونات الكترونية
IRF8313TRPBF مبيعات
IRF8313TRPBF المورد
IRF8313TRPBF موزع
IRF8313TRPBF جدول البيانات
IRF8313TRPBF الصور
IRF8313TRPBF سعر
IRF8313TRPBF يعرض
IRF8313TRPBF أقل سعر
IRF8313TRPBF يبحث
IRF8313TRPBF شراء
IRF8313TRPBF رقاقة