شراء Infineon Technologies IRF8910GTRPBF MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

جداول البيانات

IRF8910GTRPBF

MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC

رقم القطعة

IRF8910GTRPBF

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Infineon Technologies

مسلسل

HEXFET®

حالة الجزء

Obsolete

التعبئة والتغليف

Digi-Reel®

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

أقصى القوة

حزمة جهاز المورد

8-SO

نوع فيت

2 N-Channel (Dual)

ميزة FET

Logic Level Gate

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

20V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

10A

Rds On (Max) @ Id، Vgs

13.4 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

2.55V @ 250µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

11nC @ 4.5V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

960pF @ 10V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 52097 PCS

معلومات الاتصال