شراء Infineon Technologies IRFH5110TR2PBF MOSFET N-CH 100V 5X6 PQFN

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

IRFH5110TR2PBF

MOSFET N-CH 100V 5X6 PQFN

رقم القطعة

IRFH5110TR2PBF

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Infineon Technologies

مسلسل

HEXFET®

حالة الجزء

Obsolete

التعبئة والتغليف

Cut Tape (CT)

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

8-PowerVDFN

حزمة جهاز المورد

PQFN (5x6)

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

3.6W (Ta), 114W (Tc)

نوع فيت

N-Channel

ميزة FET

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

100V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

11A (Ta), 63A (Tc)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

12.4 mOhm @ 37A, 10V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

4V @ 100µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

72nC @ 10V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

3152pF @ 25V

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

10V

في جي إس (الحد الأقصى)

±20V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى chen_hx1688@hotmail.com، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 52874 PCS

معلومات الاتصال