شراء Infineon Technologies IRFH6200TR2PBF MOSFET N-CH 20V 100A 5X6 PQFN

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

جداول البيانات

IRFH6200TR2PBF

MOSFET N-CH 20V 100A 5X6 PQFN

رقم القطعة

IRFH6200TR2PBF

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Infineon Technologies

مسلسل

HEXFET®

حالة الجزء

Obsolete

التعبئة والتغليف

Digi-Reel®

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

8-PowerVDFN

حزمة جهاز المورد

PQFN (5x6)

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

3.6W (Ta), 156W (Tc)

نوع فيت

N-Channel

ميزة FET

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

20V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

49A (Ta), 100A (Tc)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

0.95 mOhm @ 50A, 10V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

1.1V @ 150µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

230nC @ 4.5V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

10890pF @ 10V

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

2.5V, 10V

في جي إس (الحد الأقصى)

±12V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى chen_hx1688@hotmail.com، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 37668 PCS

معلومات الاتصال