قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
IRFH8330TR2PBF

IRFH8330TR2PBF

MOSFET N-CH 30V 14A 5X6 PQFN
رقم القطعة
IRFH8330TR2PBF
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
HEXFET®
حالة الجزء
Obsolete
التعبئة والتغليف
Digi-Reel®
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
8-PowerTDFN
حزمة جهاز المورد
PQFN (5x6)
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.3W (Ta), 35W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
17A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
6.6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
2.35V @ 25µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
20nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1450pF @ 25V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±20V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 34112 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لIRFH8330TR2PBF
IRFH8330TR2PBF مكونات الكترونية
IRFH8330TR2PBF مبيعات
IRFH8330TR2PBF المورد
IRFH8330TR2PBF موزع
IRFH8330TR2PBF جدول البيانات
IRFH8330TR2PBF الصور
IRFH8330TR2PBF سعر
IRFH8330TR2PBF يعرض
IRFH8330TR2PBF أقل سعر
IRFH8330TR2PBF يبحث
IRFH8330TR2PBF شراء
IRFH8330TR2PBF رقاقة