شراء Infineon Technologies IRFHE4250DTRPBF MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A PQFN

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

IRFHE4250DTRPBF

MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A PQFN

رقم القطعة

IRFHE4250DTRPBF

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Infineon Technologies

مسلسل

FASTIRFET™

حالة الجزء

Obsolete

التعبئة والتغليف

Tape & Reel (TR)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

32-PowerWFQFN

أقصى القوة

156W

حزمة جهاز المورد

32-PQFN (6x6)

نوع فيت

2 N-Channel (Dual)

ميزة FET

Logic Level Gate

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

25V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

86A, 303A

Rds On (Max) @ Id، Vgs

2.75 mOhm @ 27A, 10V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

2.1V @ 35µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

20nC @ 4.5V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

1735pF @ 13V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 13289 PCS

معلومات الاتصال