قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
IRFR4510PBF
MOSFET N CH 100V 56A DPAK
رقم القطعة
IRFR4510PBF
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
HEXFET®
حالة الجزء
Discontinued at Digi-Key
التعبئة والتغليف
Tube
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
حزمة جهاز المورد
D-Pak
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
143W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
100V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
13.9 mOhm @ 38A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
4V @ 100µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
81nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3031pF @ 50V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±20V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 19589 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لIRFR4510PBF
IRFR4510PBF مكونات الكترونية
IRFR4510PBF مبيعات
IRFR4510PBF المورد
IRFR4510PBF موزع
IRFR4510PBF جدول البيانات
IRFR4510PBF الصور
IRFR4510PBF سعر
IRFR4510PBF يعرض
IRFR4510PBF أقل سعر
IRFR4510PBF يبحث
IRFR4510PBF شراء
IRFR4510PBF رقاقة