شراء Infineon Technologies SPD03N60C3BTMA1 MOSFET N-CH 650V 3.2A DPAK

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

SPD03N60C3BTMA1

MOSFET N-CH 650V 3.2A DPAK

رقم القطعة

SPD03N60C3BTMA1

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Infineon Technologies

مسلسل

CoolMOS™

حالة الجزء

Last Time Buy

التعبئة والتغليف

Tape & Reel (TR)

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

حزمة جهاز المورد

PG-TO252-3

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

38W (Tc)

نوع فيت

N-Channel

ميزة FET

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

650V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

3.2A (Tc)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

1.4 Ohm @ 2A, 10V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

3.9V @ 135µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

17nC @ 10V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

400pF @ 25V

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

10V

في جي إس (الحد الأقصى)

±20V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 52079 PCS

معلومات الاتصال