قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
IXDI602SITR
2A 8 SOIC EXP METAL DUAL INVERT
رقم القطعة
IXDI602SITR
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
-
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Tape & Reel (TR)
نوع الإدخال
Inverting
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
حزمة جهاز المورد
8-SOIC-EP
الجهد - العرض
4.5 V ~ 35 V
نوع القناة
Independent
التكوين مدفوعة
Low-Side
عدد السائقين
2
نوع البوابة
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
الجهد المنطقي - VIL، VIH
0.8V, 3V
التيار - ذروة الخرج (المصدر، المغسلة)
2A, 2A
الجهد الجانبي العالي - الحد الأقصى (Bootstrap)
-
وقت الصعود/السقوط (الطباع)
7.5ns, 6.5ns
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 10705 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لIXDI602SITR
IXDI602SITR مكونات الكترونية
IXDI602SITR مبيعات
IXDI602SITR المورد
IXDI602SITR موزع
IXDI602SITR جدول البيانات
IXDI602SITR الصور
IXDI602SITR سعر
IXDI602SITR يعرض
IXDI602SITR أقل سعر
IXDI602SITR يبحث
IXDI602SITR شراء
IXDI602SITR رقاقة