قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
IXFH13N80Q
MOSFET N-CH 800V 13A TO-247
رقم القطعة
IXFH13N80Q
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
HiPerFET™
حالة الجزء
Obsolete
التعبئة والتغليف
Tube
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
الحزمة / القضية
TO-247-3
حزمة جهاز المورد
TO-247AD (IXFH)
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
250W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
800V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
700 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
4.5V @ 4mA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
90nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3250pF @ 25V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±20V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 49981 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لIXFH13N80Q
IXFH13N80Q مكونات الكترونية
IXFH13N80Q مبيعات
IXFH13N80Q المورد
IXFH13N80Q موزع
IXFH13N80Q جدول البيانات
IXFH13N80Q الصور
IXFH13N80Q سعر
IXFH13N80Q يعرض
IXFH13N80Q أقل سعر
IXFH13N80Q يبحث
IXFH13N80Q شراء
IXFH13N80Q رقاقة