قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
IXFH14N100

IXFH14N100

MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247
رقم القطعة
IXFH14N100
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
HiPerFET™
حالة الجزء
Obsolete
التعبئة والتغليف
Tube
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
الحزمة / القضية
TO-247-3
حزمة جهاز المورد
TO-247AD (IXFH)
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
360W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
1000V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
750 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
4.5V @ 4mA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
220nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4500pF @ 25V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±20V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 46046 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لIXFH14N100
IXFH14N100 مكونات الكترونية
IXFH14N100 مبيعات
IXFH14N100 المورد
IXFH14N100 موزع
IXFH14N100 جدول البيانات
IXFH14N100 الصور
IXFH14N100 سعر
IXFH14N100 يعرض
IXFH14N100 أقل سعر
IXFH14N100 يبحث
IXFH14N100 شراء
IXFH14N100 رقاقة